Shenzhen Hengstar Technology Co., Ltd.

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Página inicialLista de ProdutoAcessórios de módulos inteligentes industriaisEspecificações do módulo de memória ddr3 udimm

Especificações do módulo de memória ddr3 udimm

Tipo de pagamento:
L/C,T/T,D/A
Incoterm:
FOB,EXW,CIF
Quantidade de pedido mínimo:
1 Piece/Pieces
transporte:
Ocean,Air,Express,Land
  • Descrição do produto
Overview
Atributos do produto

ModeloNSO4GU3AB

Capacidade de fornecimento e informaçõ...

transporteOcean,Air,Express,Land

Tipo de pagamentoL/C,T/T,D/A

IncotermFOB,EXW,CIF

Embalagem & Entrega
Unidades de venda:
Piece/Pieces

4GB 1600MHz 240 pinos DDR3 UDIMM


Histórico de Revisão

Revision No.

History

Draft Date

Remark

1.0

Initial Release

Apr. 2022

 

Tabela de informações de pedidos

Model

Density

Speed

Organization

Component Composition

NS04GU3AB

4GB

1600MHz

512Mx64bit

DDR3 256Mx8 *16


Descrição
DIMMS DDR3 SDRAM DIMMS de Hengstar (Taxa de dados dupla não sofrida DRAM DRAM DRAM em linha dupla) são módulos de memória de operação de alta velocidade e baixa potência que usam dispositivos DDR3 SDRAM. O NS04GU3AB é um produto DIMM de 512m x 64 bits de 4 GB DDR3-1600 CL11 1,5V SDRAM, com componentes DIMM não tufados, com base em componentes FBGA de dezesseis 256m x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência padrão JEDEC DDR3-1600 de 11-11-11 a 1.5V. Cada DIMM de 240 pinos usa dedos de contato em ouro. O DIMM não tufado da SDRAM destina -se ao uso como memória principal quando instalado em sistemas como PCs e estações de trabalho.


Características
 Power Supply: VDD = 1,5V (1,425V a 1.575V)
VDDQ = 1,5V (1,425V a 1.575V)
800MHz FCK para 1600 MB/s/pino
Banco interno independente
Spulpable CAS Latência: 11, 10, 9, 8, 7, 6
 Latência aditiva programável: 0, Cl - 2 ou Cl - 1 relógio
Pré-busca de 8 bits
 Burst Comprimento: 8 (Interpreme sem limite, seqüencial apenas com o endereço de partida “000”), 4 com TCCD = 4 que não permite leitura ou gravação sem costura [em tempo real usando A12 ou MRS]
 Bi-Directional Data Data Strobe
 Calibração interna (self); Auto -calibração interna através do pino ZQ (RZQ: 240 ohm ± 1%)
Termination Divação usando o pino ODT
Earrage Refresh Período 7.8US em menor que Tcase 85 ° C, 3,9US a 85 ° C <tcase <95 ° C
Reset Reset
Ajustable Data-saída de força de unidade
Topology Topologia
PCB: Altura 1,18 ”(30mm)
 ROHS compatível e livre de halogênio


Principais parâmetros de tempo

MT/s

tRCD(ns)

tRP(ns)

tRC(ns)

CL-tRCD-tRP

DDR3-1600

13.125

13.125

48.125

2011/11/11


Tabela de endereços

Configuration

Refresh count

Row address

Device bank address

Device configuration

Column Address

Module rank address

4GB

8K

32K A[14:0]

8 BA[2:0]

2Gb (256 Meg x 8)

1K A[9:0]

2 S#[1:0]


Descrições de pinos

Symbol

Type

Description

Ax

Input

Address inputs: Provide the row address  for ACTIVE commands, and the column
address and auto precharge bit (A10) for READ/WRITE commands, to select one location
out of the memory array in the respective bank. A10 sampled during a PRECHARGE
command determines whether the PRECHARGE applies to one bank (A10 LOW, bank
selected by BAx) or all banks (A10 HIGH). The address inputs also provide the op-code
during a LOAD MODE command. See the Pin Assignments table for density-specific
addressing information.

BAx

Input

Bank address inputs: Define the device bank to which an ACTIVE, READ, WRITE, or
PRECHARGE command is being applied. BA define which mode register (MR0, MR1,
MR2, or MR3) is loaded during the LOAD MODE command.

CKx,
CKx#

Input

Clock: Differential clock inputs. All control, command, and address input signals are
sampled on the crossing of the positive edge of CK and the negative edge of CK#.

CKEx

Input

Clock enable: Enables (registered HIGH) and disables (registered LOW) internal circuitry
and clocks on the DRAM.

DMx

Input

Data mask (x8 devices only): DM is an input mask signal for write data. Input data is
masked when DM is sampled HIGH, along with that input data, during a write access.
Although DM pins are input-only, DM loading is designed to match that of the DQ and DQS pins.

ODTx

Input

On-die  termination:  Enables  (registered  HIGH)  and  disables  (registered  LOW)
termination resistance internal to the DDR3 SDRAM. When enabled in normal operation,
ODT is only applied to the following pins: DQ, DQS, DQS#, DM, and CB. The ODT input will be ignored if disabled via the LOAD MODE command.

Par_In

Input

Parity input: Parity bit for Ax, RAS#, CAS#, and WE#.

RAS#,
CAS#,
WE#

Input

Command inputs: RAS#, CAS#, and WE# (along with S#) define the command being
entered.

RESET#

Input
(LVCMOS)

Reset: RESET# is an active LOW asychronous input that is connected to each DRAM and
the registering clock driver. After RESET# goes HIGH, the DRAM must be reinitialized as
though a normal power-up was executed.

Sx#

Input

Chip select: Enables (registered LOW) and disables (registered HIGH) the command
decoder.

SAx

Input

Serial address inputs: Used to configure the temperature sensor/SPD EEPROM address
range on the I2C bus.

SCL

Input

Serial
communication to and from the temperature sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

CBx

I/O

Check bits: Used for system error detection and correction.

DQx

I/O

Data input/output: Bidirectional data bus.

DQSx,
DQSx#

I/O

Data strobe: Differential data strobes. Output with read data; edge-aligned with read data;
input with write data; center-alig

SDA

I/O

Serial
sensor/SPD EEPROM on the I2C bus.

TDQSx,
TDQSx#

Output

Redundant data strobe (x8 devices only): TDQS is enabled/disabled via the LOAD
MODE command to the extended mode register (EMR). When TDQS is enabled, DM is
disabled and TDQS and TDQS# provide termination resistance; otherwise, TDQS# are no
function.

Err_Out#

Output (open
drain)

Parity error output: Parity error found on the command and address bus.

EVENT#

Output (open
drain)

Temperature event: The EVENT# pin is asserted by the temperature sensor when critical
temperature thresholds have been exceeded.

VDD

Supply

Power supply: 1.35V (1.283–1.45V) backward-compatible to 1.5V (1.425–1.575V). The
component VDD and VDDQ are connected to the module VDD.

VDDSPD

Supply

Temperature sensor/SPD EEPROM power supply: 3.0–3.6V.

VREFCA

Supply

Reference voltage: Control, command, and address VDD/2.

VREFDQ

Supply

Reference voltage: DQ, DM VDD/2.

VSS

Supply

Ground.

VTT

Supply

Termination voltage: Used for control, command, and address VDD/2.

NC

No connect: These pins are not connected on the module.

NF

No function: These pins are connected within the module, but provide no functionality.

Notas A tabela de descrição do PIN abaixo é uma lista abrangente de todos os pinos possíveis para todos os módulos DDR3. Todos os pinos listados podem não ser suportado neste módulo. Consulte Atribuições PIN para obter informações específicas para este módulo.


Diagrama de blocos funcionais

Módulo de 4 GB, 512mx64 (2Rank de x8)

1


2


Observação:
1.A bola ZQ em cada componente DDR3 é conectada a um resistor externo de 240Ω ± 1% ligado ao solo. É usado para a calibração do driver de terminação e saída do componente.



Dimensões do módulo


Vista frontal

3

Vista frontal

4

Notas:
1. Todas as dimensões estão em milímetros (polegadas); Max/min ou típico (Typ), quando observado.
2.Tolerância em todas as dimensões ± 0,15 mm, a menos que especificado de outra forma.
3.O diagrama dimensional é apenas para referência.

Grupo de Produto : Acessórios de módulos inteligentes industriais

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