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Especificações do módulo de memória ddr4 udimm

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Overview

Atributos do produto

Modelo: NS08GU4E8

Capacidade de fornecimento e informaçõ...

transporte: Ocean,Land,Air,Express

Tipo de pagamento: L/C,T/T,D/A

Incoterm: FOB,CIF,EXW

Embalagem & Entrega

Unidades de venda:: Piece/Pieces

8GB 2666MHz 288 pinos DDR4 Udimm

Histórico de Revisão

Revision No.	History	Draft Date	Remark
1.0	Initial Release	Apr. 2022

Tabela de informações de pedidos

Model	Density	Speed	Organization	Component Composition
NS08GU4E8	8GB	2666MHz	1Gx64bit	DDR4 1Gx8 *8

Descrição
DIMMS DDR4 SDRAM DIMMS de Hengstar (Taxa de dados dupla não sofrecida DRAM DRAM DRAM em linha de memória dupla) são módulos de memória de operação de alta velocidade e baixa potência que usam dispositivos DDR4 SDRAM. O NS08GU4E8 é um produto DIMM DDR4-2666 CL19 de 1g x 64 bits de 64 bits de 1g de 1,2V de 1,2V, com componentes DIMM não tufados, com base em oito componentes FBGA de 1g x 8 bits. O SPD é programado para o tempo de latência padrão JEDEC DDR4-2666 de 19-19-19 a 1.2V. Cada DIMM de 288 pinos usa dedos de contato em ouro. O DIMM não tufado da SDRAM destina -se ao uso como memória principal quando instalado em sistemas como PCs e estações de trabalho.

Características
 Power Supply: VDD = 1,2V (1,14V a 1,26V)
VDDQ = 1,2V (1,14V a 1,26V)
VPP - 2.5V (2.375V a 2.75V)
VDDSPD = 2,25V a 3,6V

Se-Power Auto-refresch (LPASR)
Inversão do barramento de dados (DBI) para barramento de dados
NO-DIE VREFDQ GERAÇÃO E CALIBRAÇÃO
NOBLA I2C Presence-Detect (SPD) EEPROM
16 bancos internos; 4 grupos de 4 bancos cada
 CHOP BURST FILED (BC) de 4 e comprimento de explosão (BL) de 8 através do conjunto de registros de modo (MRS)

Databus Write Ciclic Redundancy Check (CRC)
 Atualização controlada pela temperatura (TCR)
Parity Parity Command/Endereço (CA)
Per endereço de endereço de DRAM é suportado
8 bit pré-busca
Topology Topologia
Command Command/Endereço Latência (CAL)
 Comando de controle terminado e barramento de endereço
PCB: Altura 1,23 ”(31,25mm)
Contatos Contatos de borda de gravação
 ROHS compatível e livre de halogênio

Principais parâmetros de tempo

MT/s	tCK (ns)	CAS Latency (tCK)	tRCD (ns)	tRP (ns)	tRAS (ns)	tRC (ns)	CL-tRCD-tRP
DDR4-2666	0.75	19	14.25	14.25	32	46.25	19-19-19

Tabela de endereços

Configuration	Number of bank groups	Bank Group Address	Bank Address	Row Address	Column Address	Page size
8GB(1Rx8)	4	BG0-BG1	BA0-BA1	A0-A15	A0-A9	1 KB

Diagrama de blocos funcionais

Módulo de 8 GB, 1GX64 (1Rank de x8)

Observação:

1.nessando o outro lado observado, os valores do resistor são 15Ω ± 5%.

2.ZQ Os resistores são 240Ω ± 1%. Para todos os outros valores do resistor referem -se ao diagrama de fiação apropriado.

3.Event_N está conectado neste design. Um SPD independente também pode ser usado. Não são necessárias alterações na fiação.

Classificações máximas absolutas

Classificações CD máximas absolutas

Symbol	Parameter	Rating	Units	NOTE
VDD	Voltage on VDD pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VDDQ	Voltage on VDDQ pin relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3
VPP	Voltage on VPP pin relative to VSS	-0.3 ~ 3.0	V	4
VIN, VOUT	Voltage on any pin except VREFCA relative to VSS	-0.3 ~ 1.5	V	1,3,5
TSTG	Storage Temperature	-55 to +100	°C	1,2

Observação:

1. Estresses maiores do que os listados em "classificações máximas absolutas" podem causar danos permanentes ao dispositivo.

Esta é apenas uma classificação de estresse e a operação funcional do dispositivo nessas ou em qualquer outra condições acima das indicadas nas seções operacionais desta especificação não está implícita. A exposição a condições de classificação máxima absoluta por períodos prolongados pode afetar a confiabilidade.

2. A temperatura de armazenamento é a temperatura da superfície da caixa no lado central/superior do DRAM. Para as condições de medição, consulte o padrão JESD51-2.

3.VDD e VDDQ devem estar dentro de 300 mV um do outro o tempo todo; e o VREFCA não deve ser maior que 0,6 x VDDQ, quando o VDD e o VDDQ são inferiores a 500mv; O VREFCA pode ser igual ou inferior a 300mv.

4.VPP deve ser igual ou maior que o VDD/VDDQ o tempo todo.

5. A área de overshoot acima de 1.5V é especificada na operação do dispositivo DDR4 .

Faixa de temperatura de operação do componente DRAM

Symbol	Parameter	Rating	Units	Notes
TOPER	Normal Operating Temperature Range	0 to 85	°C	1,2
TOPER	Extended Temperature Range	85 to 95	°C	1,3

Notas:

1. Operando o topo da temperatura é a temperatura da superfície da caixa no lado central / superior do DRAM. Para condições de medição, consulte o documento JEDEC JESD51-2.

2. A faixa de temperatura normal especifica as temperaturas onde todas as especificações de DRAM serão suportadas. Durante a operação, a temperatura do caso DRAM deve ser mantida entre 0 e 85 ° C em todas as condições operacionais.

3. Algumas aplicações requerem operação do DRAM na faixa de temperatura estendida entre 85 ° C e temperatura da caixa de 95 ° C. As especificações completas são garantidas nesse intervalo, mas as seguintes condições adicionais se aplicam:

a). Os comandos de atualização devem ser dobrados em frequência, reduzindo o Trefi do intervalo de atualização para 3,9 µs. Também é possível especificar um componente com atualização 1x (Trefi a 7,8 µs) na faixa de temperatura estendida. Consulte o DIMM SPD para obter a disponibilidade de opções.

b). Se a operação de auto-refrige é necessária na faixa de temperatura prolongada, é obrigatório usar o modo de auto-refrescamento manual com capacidade de faixa de temperatura estendida (MR2 A6 = 0b e MR2 A7 = 1b) ou ativar a auto-realização opcional automática modo (mr2 a6 = 1b e mr2 a7 = 0b).

Condições de operação AC & DC

Condições operacionais de DC recomendadas

Symbol	Parameter	Rating			Unit	NOTE
Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	Unit	NOTE
VDD	Supply Voltage	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VDDQ	Supply Voltage for Output	1.14	1.2	1.26	V	1,2,3
VPP	Supply Voltage for DRAM Activating	2.375	2.5	2.75	V	3